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型号 NDC632P
厂商 Fairchild Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
NDC632P PDF
代理商 NDC632P
产品变化通告 Mold Compound Change 08/April/2008
标准包装 1
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 140 毫欧 @ 2.7A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 550pF @ 10V
功率 - 最大 800mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商设备封装 6-SSOT
包装 剪切带 (CT)
其它名称 NDC632PCT
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